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先端分野におけるナノ・メソ材料の創製、 電子物性機能の解析と応用に取り組んでいます。 | |
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ナノ・メソ材料創製法 | |
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・低エネルギーイオンビーム蒸着法 ・プラズマスパッタリング・プラズマ反応法 | |
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主な薄膜・表面解析手法 低速電子回折法、低エネルギーイオン散乱分光法、走査電子顕微鏡
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| Ⅰ．イオンビーム蒸着法によるダイヤモンド薄膜創製に関する研究 ☆ | |
| 質量分離した２～２００ｅＶの低エネルギーメタンイオンのシリコン表面上での衝突反応による、シリコン表面ヘテロエピタキシーダイヤモンド
薄膜成長法を探る。 | |
| Ⅱ．シリコン表面上 鉄シリサイド半導体薄膜創製に関する研究 ☆ | |
| 環境半導体材料としてのβ-FeSi2薄膜成長制御をSi単結晶基板上で目指す。 特に、エピタキシャルテンプレート層の表面構造解析を通して、厚い単結晶膜形成法の確立を探る。 | |
| Ⅲ． 高機能透明導電膜の作製法の開発とその応用に関する研究 ☆ | |
| 高導電性透明膜は、可視光を透過しながら金属的導電性を示すという特異な性質を有しており、各種フラットパネルディスプレイや太陽電池の透明電極などとして 必要不可欠である。本研究では、透明導電性酸化物薄膜として最も幅広く利用されているＩＴＯ( Indium Tin Oxide)とAZO (Aluminum Zinc Oxide) を取り上げ、その高機能膜の形成法および応用を検討する | |
| Ⅳ．プラズマ反応法による機能性炭素物質創製に関する研究 ☆ | |||
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